MTD3055V, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.15 Ом

150,00 руб.

Артикул: 1132660 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	150,00руб.	139,50руб.	135,00руб.	132,00руб.	127,50руб.	120,00руб.	117,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	282,00руб.	259,50руб.	255,00руб.	249,00руб.	240,00руб.	226,50руб.	220,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	286,50руб.	264,00руб.	258,00руб.	252,00руб.	240,00руб.	228,00руб.	223,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	180,00руб.	165,00руб.	162,00руб.	157,50руб.	153,00руб.	144,00руб.	139,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	261,00руб.	240,00руб.	234,00руб.	229,50руб.	222,00руб.	208,50руб.	202,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	163,50руб.	151,50руб.	147,00руб.	144,00руб.	139,50руб.	130,50руб.	127,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MTD3055V, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.15 Ом The MTD3055V is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.

• Low gate charge
• Fast switching speed
• High performance technology for low RDS (ON)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	48Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	12А