Заполнитель

IXFR36N60P, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 200 мОм

1.110,00 руб.

x 1.110,00 = 1.110,00
Артикул: 1132621 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.110,00руб.1.032,30руб.976,80руб.943,50руб.910,20руб.893,55руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.254,30руб.1.132,20руб.1.110,00руб.1.065,60руб.1.032,30руб.1.010,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.354,20руб.1.221,00руб.1.187,70руб.1.154,40руб.1.087,80руб.1.021,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.320,90руб.1.187,70руб.1.165,50руб.1.121,10руб.1.076,70руб.1.015,65руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.887,00руб.1.698,30руб.1.665,00руб.1.598,40руб.1.542,90руб.1.409,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.875,90руб.1.687,20руб.1.651,68руб.1.587,30руб.1.531,80руб.1.398,60руб.

Характеристики

IXFR36N60P, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 200 мОм The IXFR36N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.

• Silicon chip on direct-copper-bond substrate
• High power dissipation
• Isolated mounting surface
• 2500V electrical isolation
• International standard package
• Unclamped inductive switching (UIS) rated
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

ISOPLUS-247
Рассеиваемая Мощность

208Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

20А