Заполнитель

IPW65R037C6FKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 83.2 А, 650 В

1.390,00 руб.

x 1.390,00 = 1.390,00
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.390,00руб.1.292,70руб.1.223,20руб.1.181,50руб.1.139,80руб.1.118,95руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.570,70руб.1.417,80руб.1.390,00руб.1.334,40руб.1.292,70руб.1.264,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.695,80руб.1.529,00руб.1.487,30руб.1.445,60руб.1.362,20руб.1.278,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.654,10руб.1.487,30руб.1.459,50руб.1.403,90руб.1.348,30руб.1.271,85руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.363,00руб.2.126,70руб.2.085,00руб.2.001,60руб.1.932,10руб.1.765,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.349,10руб.2.112,80руб.2.068,32руб.1.987,70руб.1.918,20руб.1.751,40руб.

Характеристики

IPW65R037C6FKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 83.2 А, 650 В The IPW65R037C6 is a 650V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET offers easy control of switching behaviour. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

• Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
• Very high commutation ruggedness
• Easy to use
• Better light load efficiency
• Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
• Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
• More efficient, more compact, lighter and cooler
• Improved power density
• Improved reliability
• General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

500Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

83.2А