10

FCH25N60N, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 600 В, 0.108 Ом

450,00 руб.

x 450,00 = 450,00
Артикул: 1132076 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней450,00руб.418,50руб.405,00руб.396,00руб.382,50руб.360,00руб.351,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней846,00руб.778,50руб.765,00руб.747,00руб.720,00руб.679,50руб.661,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней859,50руб.792,00руб.774,00руб.756,00руб.720,00руб.684,00руб.670,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней540,00руб.495,00руб.486,00руб.472,50руб.459,00руб.432,00руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней783,00руб.720,00руб.702,00руб.688,50руб.666,00руб.625,50руб.607,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней490,50руб.454,50руб.441,00руб.432,00руб.418,50руб.391,50руб.382,50руб.

Характеристики

FCH25N60N, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 600 В, 0.108 Ом The FCH25N60N is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET employs a deep Trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp ON-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

• Ultra low gate charge (Qg = 57nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 262pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

216Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

25А