818b84d2b39c6b4e52f16e97592a9565

FCB20N60, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 150 мОм

490,00 руб.

x 490,00 = 490,00
Артикул: 1132060 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней490,00руб.455,70руб.441,00руб.431,20руб.416,50руб.392,00руб.382,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней921,20руб.847,70руб.833,00руб.813,40руб.784,00руб.739,90руб.720,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней935,90руб.862,40руб.842,80руб.823,20руб.784,00руб.744,80руб.730,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней588,00руб.539,00руб.529,20руб.514,50руб.499,80руб.470,40руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней852,60руб.784,00руб.764,40руб.749,70руб.725,20руб.681,10руб.661,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней534,10руб.494,90руб.480,20руб.470,40руб.455,70руб.426,30руб.416,50руб.

Характеристики

FCB20N60, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 150 мОм The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

• Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

208Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

20А