STS4DPF30L, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -4 А

73,00 руб.

Артикул: 1131927 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	73,00руб.	67,89руб.	65,70руб.	64,24руб.	59,86руб.	58,40руб.	56,94руб.	52,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	132,13руб.	121,18руб.	118,99руб.	116,07руб.	108,04руб.	105,85руб.	102,93руб.	92,71руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	170,82руб.	157,68руб.	154,03руб.	150,38руб.	140,16руб.	136,51руб.	133,59руб.	119,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	87,60руб.	80,30руб.	78,84руб.	76,65руб.	71,54руб.	70,08руб.	67,89руб.	61,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	168,63руб.	155,49руб.	151,84руб.	148,19руб.	143,81руб.	138,70руб.	131,40руб.	118,26руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STS4DPF30L, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -4 А The STS4DPF30L is a dual P-channel STripFET™ Power MOSFET for battery management in nomadic equipment and DC-to-DC converter applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique «single feature size» strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Standard outline for easy automated surface-mount assembly
• Low threshold drive

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Полярность Транзистора	Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-30В
Непрерывный Ток Стока	-4А