1925

SIA519EDJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал

51,00 руб.

x 51,00 = 51,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней51,00руб.47,43руб.45,90руб.44,88руб.41,82руб.40,80руб.39,78руб.36,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней92,31руб.84,66руб.83,13руб.81,09руб.75,48руб.73,95руб.71,91руб.64,77руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней119,34руб.110,16руб.107,61руб.105,06руб.97,92руб.95,37руб.93,33руб.83,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней61,20руб.56,10руб.55,08руб.53,55руб.49,98руб.48,96руб.47,43руб.42,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней117,81руб.108,63руб.106,08руб.103,53руб.100,47руб.96,90руб.91,80руб.82,62руб.

Характеристики

SIA519EDJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал The SIA519EDJ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• Typical ESD protection
• 100% Rg tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK SC70

Рассеиваемая Мощность

7.8Вт

Полярность Транзистора

N и P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

4.5А