FDS6990A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 7.5 А

96,00 руб.

Артикул: 1131735 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	96,00руб.	89,28руб.	86,40руб.	84,48руб.	78,72руб.	76,80руб.	74,88руб.	69,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	173,76руб.	159,36руб.	156,48руб.	152,64руб.	142,08руб.	139,20руб.	135,36руб.	121,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	224,64руб.	207,36руб.	202,56руб.	197,76руб.	184,32руб.	179,52руб.	175,68руб.	157,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	115,20руб.	105,60руб.	103,68руб.	100,80руб.	94,08руб.	92,16руб.	89,28руб.	80,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	221,76руб.	204,48руб.	199,68руб.	194,88руб.	189,12руб.	182,40руб.	172,80руб.	155,52руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS6990A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 7.5 А The FDS6990A is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench process. It is especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Gate to source voltage
• 7.5A Continuous drain current
• 20A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	1.6Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	7.5А