FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А

67,00 руб.

Артикул: 1131731 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	67,00руб.	62,31руб.	60,30руб.	58,96руб.	54,94руб.	53,60руб.	52,26руб.	48,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	121,27руб.	111,22руб.	109,21руб.	106,53руб.	99,16руб.	97,15руб.	94,47руб.	85,09руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	156,78руб.	144,72руб.	141,37руб.	138,02руб.	128,64руб.	125,29руб.	122,61руб.	109,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	80,40руб.	73,70руб.	72,36руб.	70,35руб.	65,66руб.	64,32руб.	62,31руб.	56,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	154,77руб.	142,71руб.	139,36руб.	136,01руб.	131,99руб.	127,30руб.	120,60руб.	108,54руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А The FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• -55 to 150 C Junction and storage temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	5.5А