Транзистор FDS6930B, N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC

74,00 руб.

Артикул: 1131730 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	74,00руб.	68,82руб.	66,60руб.	65,12руб.	60,68руб.	59,20руб.	57,72руб.	53,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	133,94руб.	122,84руб.	120,62руб.	117,66руб.	109,52руб.	107,30руб.	104,34руб.	93,98руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	173,16руб.	159,84руб.	156,14руб.	152,44руб.	142,08руб.	138,38руб.	135,42руб.	121,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	88,80руб.	81,40руб.	79,92руб.	77,70руб.	72,52руб.	71,04руб.	68,82руб.	62,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	170,94руб.	157,62руб.	153,92руб.	150,22руб.	145,78руб.	140,60руб.	133,20руб.	119,88руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS6930B, N CHANNEL MOSFET, 30V, SOICThe FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• -55 to 150 C Junction and storage temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Полярность Транзистора	Dual N Channel
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	5.5А