FDS6930A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А

68,00 руб.

Артикул: 1131728 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	68,00руб.	63,24руб.	61,20руб.	59,84руб.	55,76руб.	54,40руб.	53,04руб.	48,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	123,08руб.	112,88руб.	110,84руб.	108,12руб.	100,64руб.	98,60руб.	95,88руб.	86,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	159,12руб.	146,88руб.	143,48руб.	140,08руб.	130,56руб.	127,16руб.	124,44руб.	111,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	81,60руб.	74,80руб.	73,44руб.	71,40руб.	66,64руб.	65,28руб.	63,24руб.	57,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	157,08руб.	144,84руб.	141,44руб.	138,04руб.	133,96руб.	129,20руб.	122,40руб.	110,16руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS6930A, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А The FDS6930A is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Gate to source voltage
• 5.5A Continuous drain current
• 20A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	5.5А