1

BSO220N03MDGXUMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

62,00 руб.

x 62,00 = 62,00
Артикул: 1131632 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней62,00руб.57,66руб.55,80руб.54,56руб.50,84руб.49,60руб.48,36руб.44,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней112,22руб.102,92руб.101,06руб.98,58руб.91,76руб.89,90руб.87,42руб.78,74руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней145,08руб.133,92руб.130,82руб.127,72руб.119,04руб.115,94руб.113,46руб.101,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней74,40руб.68,20руб.66,96руб.65,10руб.60,76руб.59,52руб.57,66руб.52,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней143,22руб.132,06руб.128,96руб.125,86руб.122,14руб.117,80руб.111,60руб.100,44руб.

Характеристики

BSO220N03MDGXUMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The BSO220N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.

• Low FOMSW for high frequency SMPS
• 100% Avalanche tested
• Very low ON-resistance
• Excellent gate charge
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

DSO
Рассеиваемая Мощность

1.4Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

6А