67

MMUN2215LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT

12,00 руб.

x 12,00 = 12,00
Артикул: 1131416 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней12,00руб.11,16руб.10,80руб.10,56руб.9,84руб.9,60руб.9,36руб.8,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней21,72руб.19,92руб.19,56руб.19,08руб.17,76руб.17,40руб.16,92руб.15,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней28,08руб.25,92руб.25,32руб.24,72руб.23,04руб.22,44руб.21,96руб.19,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней14,40руб.13,20руб.12,96руб.12,60руб.11,76руб.11,52руб.11,16руб.10,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней27,72руб.25,56руб.24,96руб.24,36руб.23,64руб.22,80руб.21,60руб.19,44руб.

Характеристики

MMUN2215LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT The MMUN2215LT1G is a NPN Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.

• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count
• 50V Collector-base voltage
• 50V Collector-emitter voltage
• 100mA Continuous collector current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Количество Выводов

3 Вывода
Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в
Корпус РЧ Транзистора

sot-23