67

MMUN2212LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT

10,00 руб.

x 10,00 = 10,00
Артикул: 1131414 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней10,00руб.9,30руб.9,00руб.8,80руб.8,20руб.8,00руб.7,80руб.7,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней18,10руб.16,60руб.16,30руб.15,90руб.14,80руб.14,50руб.14,10руб.12,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней23,40руб.21,60руб.21,10руб.20,60руб.19,20руб.18,70руб.18,30руб.16,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней12,00руб.11,00руб.10,80руб.10,50руб.9,80руб.9,60руб.9,30руб.8,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней23,10руб.21,30руб.20,80руб.20,30руб.19,70руб.19,00руб.18,00руб.16,20руб.

Характеристики

MMUN2212LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT The MMUN2212LT1G is a NPN Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.

• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Количество Выводов

3 Вывода
Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в
Корпус РЧ Транзистора

sot-23