67

PBSS5350T, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 300 мВт, 3 А

12,00 руб.

x 12,00 = 12,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней12,00руб.11,16руб.10,80руб.10,56руб.9,84руб.9,60руб.9,36руб.8,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней21,72руб.19,92руб.19,56руб.19,08руб.17,76руб.17,40руб.16,92руб.15,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней28,08руб.25,92руб.25,32руб.24,72руб.23,04руб.22,44руб.21,96руб.19,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней14,40руб.13,20руб.12,96руб.12,60руб.11,76руб.11,52руб.11,16руб.10,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней27,72руб.25,56руб.24,96руб.24,36руб.23,64руб.22,80руб.21,60руб.19,44руб.

Характеристики

PBSS5350T, Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 300 мВт, 3 А The PBSS5350T is a 3A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation
• NPN complement is PBSS4350T
• ZD Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

200hFE