b3112db3a8b7cf7680c912118bf788c6

BCV61CE6327HTSA1, Массив биполярных транзисторов, NPN, 30 В

36,00 руб.

x 36,00 = 36,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней36,00руб.33,48руб.32,40руб.31,68руб.29,52руб.28,80руб.28,08руб.25,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней65,16руб.59,76руб.58,68руб.57,24руб.53,28руб.52,20руб.50,76руб.45,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней84,24руб.77,76руб.75,96руб.74,16руб.69,12руб.67,32руб.65,88руб.59,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней43,20руб.39,60руб.38,88руб.37,80руб.35,28руб.34,56руб.33,48руб.30,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней83,16руб.76,68руб.74,88руб.73,08руб.70,92руб.68,40руб.64,80руб.58,32руб.

Характеристики

BCV61CE6327HTSA1, Массив биполярных транзисторов, NPN, 30 В The BCV 61C E6327 is a NPN silicon double Bipolar Transistor Array with good thermal coupling and VBE matching.

• To be used as a current mirror
• High current gain
• Low collector-emitter saturation voltage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-143

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

520hFE