Заполнитель

Транзистор FQB6N80TM

310,00 руб.

x 310,00 = 310,00
Артикул: 1128402 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней310,00руб.288,30руб.279,00руб.272,80руб.263,50руб.248,00руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней582,80руб.536,30руб.527,00руб.514,60руб.496,00руб.468,10руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней592,10руб.545,60руб.533,20руб.520,80руб.496,00руб.471,20руб.461,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней372,00руб.341,00руб.334,80руб.325,50руб.316,20руб.297,60руб.288,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней539,40руб.496,00руб.483,60руб.474,30руб.458,80руб.430,90руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней337,90руб.313,10руб.303,80руб.297,60руб.288,30руб.269,70руб.263,50руб.

Характеристики

FQB6N80TMThe FQB6N80TM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (31nC)
• Low Crss (14pF)
• 100% avalanche tested