Транзистор IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]

270,00 руб.

Артикул: 1128311 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	270,00руб.	251,10руб.	243,00руб.	237,60руб.	229,50руб.	216,00руб.	210,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	507,60руб.	467,10руб.	459,00руб.	448,20руб.	432,00руб.	407,70руб.	396,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	515,70руб.	475,20руб.	464,40руб.	453,60руб.	432,00руб.	410,40руб.	402,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	324,00руб.	297,00руб.	291,60руб.	283,50руб.	275,40руб.	259,20руб.	251,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	469,80руб.	432,00руб.	421,20руб.	413,10руб.	399,60руб.	375,30руб.	364,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	294,30руб.	272,70руб.	264,60руб.	259,20руб.	251,10руб.	234,90руб.	229,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]The IRG4PF50WDPBF is a 900V Warp 20 to 100kHz copack IGBT with ultrafast soft recovery diode designed for switch mode power supply, welding and PFC applications. Latest generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution and exceptional reliability. Low conduction losses and minimal minority carrier recombination makes as an excellent option for resonant mode switching (up to >100kHz). HEXFRED diodes optimized for performance and used in bridge configurations.

• 50% Reduction of Eoff parameter
• Lower switching losses allow more effective operation in replacing large die MOSFET up to 100kHz