HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]

730,00 руб.

Артикул: 1128278 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	730,00руб.	678,90руб.	657,00руб.	642,40руб.	620,50руб.	584,00руб.	569,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.372,40руб.	1.262,90руб.	1.241,00руб.	1.211,80руб.	1.168,00руб.	1.102,30руб.	1.073,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.394,30руб.	1.284,80руб.	1.255,60руб.	1.226,40руб.	1.168,00руб.	1.109,60руб.	1.087,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	876,00руб.	803,00руб.	788,40руб.	766,50руб.	744,60руб.	700,80руб.	678,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.270,20руб.	1.168,00руб.	1.138,80руб.	1.116,90руб.	1.080,40руб.	1.014,70руб.	985,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	795,70руб.	737,30руб.	715,40руб.	700,80руб.	678,90руб.	635,10руб.	620,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]The HGTG40N60B3 is a N-channel PT IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150 C.

• Short-circuit rating
• 100ns Fall time @ TJ = 150 C
• 290W Total power dissipation @ TC = 25 C