51

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт

160,00 руб.

x 160,00 = 160,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней160,00руб.148,80руб.144,00руб.140,80руб.136,00руб.128,00руб.124,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней300,80руб.276,80руб.272,00руб.265,60руб.256,00руб.241,60руб.235,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней305,60руб.281,60руб.275,20руб.268,80руб.256,00руб.243,20руб.238,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней192,00руб.176,00руб.172,80руб.168,00руб.163,20руб.153,60руб.148,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней278,40руб.256,00руб.249,60руб.244,80руб.236,80руб.222,40руб.216,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней174,40руб.161,60руб.156,80руб.153,60руб.148,80руб.139,20руб.136,00руб.

Характеристики

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт FGA25N120ANTD от компании Fairchild является NPT траншейным БТИЗ 1200В 25А сквозного монтажа в корпусе TO-3P. БТИЗ обеспечивает превосходную проводимость, коммутационные характеристики, высокую лавинную надежность и простоту параллельной работы. Это устройство хорошо подходит для приложений с резонансным или мягким переключением.

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 1.2кВ
• Ток коллектора 50А при 25 C
• Непрерывный прямой ток диода 50А при 25 C
• Диапазон рабочей температуры перехода от — 55 C до 150 C
• Максимальное рассеивание мощности 312Вт при 25 C
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.65В при Ic=50А
• Максимальное прямое напряжение диода 3В при IF = 25А
• Пиковый ток обратного восстановления диода 40А

Дополнительная информация

Корпус

to-3p

Структура

igbt+диод