60

Транзистор IRLD120PBF

52,00 руб.

x 52,00 = 52,00
Артикул: 1128192 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней52,00руб.48,36руб.46,80руб.45,76руб.42,64руб.41,60руб.40,56руб.37,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней94,12руб.86,32руб.84,76руб.82,68руб.76,96руб.75,40руб.73,32руб.66,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней121,68руб.112,32руб.109,72руб.107,12руб.99,84руб.97,24руб.95,16руб.85,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней62,40руб.57,20руб.56,16руб.54,60руб.50,96руб.49,92руб.48,36руб.43,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней120,12руб.110,76руб.108,16руб.105,56руб.102,44руб.98,80руб.93,60руб.84,24руб.

Характеристики

IRLD120PBFThe IRLD120PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• Repetitive avalanche rated
• End stackable
• Logic-level gate drive
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
• -55 to 175 C Operating temperature range

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.3 А