51

Транзистор IRFR014PBF

55,00 руб.

x 55,00 = 55,00
Артикул: 1128137 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней55,00руб.51,15руб.49,50руб.48,40руб.45,10руб.44,00руб.42,90руб.39,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней99,55руб.91,30руб.89,65руб.87,45руб.81,40руб.79,75руб.77,55руб.69,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней128,70руб.118,80руб.116,05руб.113,30руб.105,60руб.102,85руб.100,65руб.90,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней66,00руб.60,50руб.59,40руб.57,75руб.53,90руб.52,80руб.51,15руб.46,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней127,05руб.117,15руб.114,40руб.111,65руб.108,35руб.104,50руб.99,00руб.89,10руб.

Характеристики

IRFR014PBFThe IRFR014PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Surface-mount
• Simple drive requirements

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А, 25 Вт, 0.2 Ом