Заполнитель

Транзистор IRFBA90N20D

520,00 руб.

x 520,00 = 520,00
Артикул: 1128092 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней520,00руб.483,60руб.468,00руб.457,60руб.442,00руб.416,00руб.405,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней977,60руб.899,60руб.884,00руб.863,20руб.832,00руб.785,20руб.764,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней993,20руб.915,20руб.894,40руб.873,60руб.832,00руб.790,40руб.774,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней624,00руб.572,00руб.561,60руб.546,00руб.530,40руб.499,20руб.483,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней904,80руб.832,00руб.811,20руб.795,60руб.769,60руб.722,80руб.702,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней566,80руб.525,20руб.509,60руб.499,20руб.483,60руб.452,40руб.442,00руб.

Характеристики

IRFBA90N20D HEXFET® N-Channel Power MOSFET over 55A, International Rectifier

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings — Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 98 А, 650 Вт