2

Транзистор IRF7313TRPBF

59,00 руб.

x 59,00 = 59,00
Артикул: 1128035 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней59,00руб.54,87руб.53,10руб.51,92руб.48,38руб.47,20руб.46,02руб.42,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней106,79руб.97,94руб.96,17руб.93,81руб.87,32руб.85,55руб.83,19руб.74,93руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней138,06руб.127,44руб.124,49руб.121,54руб.113,28руб.110,33руб.107,97руб.96,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней70,80руб.64,90руб.63,72руб.61,95руб.57,82руб.56,64руб.54,87руб.49,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней136,29руб.125,67руб.122,72руб.119,77руб.116,23руб.112,10руб.106,20руб.95,58руб.

Характеристики

IRF7313TRPBFThe IRF7313TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Корпус: 8-SO, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом