тик

Транзистор IRF1010EZPBF

79,00 руб.

x 79,00 = 79,00
Артикул: 1128007 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней79,00руб.73,47руб.71,10руб.69,52руб.64,78руб.63,20руб.61,62руб.56,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней142,99руб.131,14руб.128,77руб.125,61руб.116,92руб.114,55руб.111,39руб.100,33руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней184,86руб.170,64руб.166,69руб.162,74руб.151,68руб.147,73руб.144,57руб.129,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней94,80руб.86,90руб.85,32руб.82,95руб.77,42руб.75,84руб.73,47руб.66,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней182,49руб.168,27руб.164,32руб.160,37руб.155,63руб.150,10руб.142,20руб.127,98руб.

Характеристики

IRF1010EZPBFThe IRF1010EZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 75 А