16

Транзистор FDD5614P

45,00 руб.

x 45,00 = 45,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней45,00руб.41,85руб.40,50руб.39,60руб.36,90руб.36,00руб.35,10руб.32,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней81,45руб.74,70руб.73,35руб.71,55руб.66,60руб.65,25руб.63,45руб.57,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней105,30руб.97,20руб.94,95руб.92,70руб.86,40руб.84,15руб.82,35руб.73,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней54,00руб.49,50руб.48,60руб.47,25руб.44,10руб.43,20руб.41,85руб.37,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней103,95руб.95,85руб.93,60руб.91,35руб.88,65руб.85,50руб.81,00руб.72,90руб.

Характеристики

FDD5614PThe FDD5614P is a P-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process, fast switching speed, high performance trench technology for extremely low RDS (ON).

• High power and current handling capability

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-252, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 15 А