57b1f6defaa952fe438477391575cb95

Транзистор FDA59N25

290,00 руб.

x 290,00 = 290,00
Артикул: 1127904 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней290,00руб.269,70руб.261,00руб.255,20руб.246,50руб.232,00руб.226,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней545,20руб.501,70руб.493,00руб.481,40руб.464,00руб.437,90руб.426,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней553,90руб.510,40руб.498,80руб.487,20руб.464,00руб.440,80руб.432,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней348,00руб.319,00руб.313,20руб.304,50руб.295,80руб.278,40руб.269,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней504,60руб.464,00руб.452,40руб.443,70руб.429,20руб.403,10руб.391,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней316,10руб.292,90руб.284,20руб.278,40руб.269,70руб.252,30руб.246,50руб.

Характеристики

FDA59N25The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 63nC Typical low gate charge
• 70pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-3PN, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 59 А, 390 Вт