Заполнитель

STP20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 290 мОм

620,00 руб.

x 620,00 = 620,00
Артикул: 1127635 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней620,00руб.576,60руб.558,00руб.545,60руб.527,00руб.496,00руб.483,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.165,60руб.1.072,60руб.1.054,00руб.1.029,20руб.992,00руб.936,20руб.911,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.184,20руб.1.091,20руб.1.066,40руб.1.041,60руб.992,00руб.942,40руб.923,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней744,00руб.682,00руб.669,60руб.651,00руб.632,40руб.595,20руб.576,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.078,80руб.992,00руб.967,20руб.948,60руб.917,60руб.861,80руб.837,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней675,80руб.626,20руб.607,60руб.595,20руб.576,60руб.539,40руб.527,00руб.

Характеристики

STP20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 290 мОм The STP20NM60FD is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The FDmesh™ associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.

• High dV/dt and avalanche capabilities
• Low gate input resistance

Дополнительная информация

Структура

n-канал