IRFS4310PBF, Транзистор, N-канал 100В 140А [D2PAK]

780,00 руб.

Артикул: 1127218 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	780,00руб.	725,40руб.	702,00руб.	686,40руб.	663,00руб.	624,00руб.	608,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.466,40руб.	1.349,40руб.	1.326,00руб.	1.294,80руб.	1.248,00руб.	1.177,80руб.	1.146,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.489,80руб.	1.372,80руб.	1.341,60руб.	1.310,40руб.	1.248,00руб.	1.185,60руб.	1.162,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	936,00руб.	858,00руб.	842,40руб.	819,00руб.	795,60руб.	748,80руб.	725,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.357,20руб.	1.248,00руб.	1.216,80руб.	1.193,40руб.	1.154,40руб.	1.084,20руб.	1.053,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	850,20руб.	787,80руб.	764,40руб.	748,80руб.	725,40руб.	678,60руб.	663,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFS4310PBF, Транзистор, N-канал 100В 140А [D2PAK]The IRFS4310PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability