Заполнитель

Транзистор IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FP

155,00 руб.

x 155,00 = 155,00
Артикул: 1127165 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней155,00руб.144,15руб.139,50руб.136,40руб.131,75руб.124,00руб.120,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней291,40руб.268,15руб.263,50руб.257,30руб.248,00руб.234,05руб.227,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней296,05руб.272,80руб.266,60руб.260,40руб.248,00руб.235,60руб.230,95руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней186,00руб.170,50руб.167,40руб.162,75руб.158,10руб.148,80руб.144,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней269,70руб.248,00руб.241,80руб.237,15руб.229,40руб.215,45руб.209,25руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней168,95руб.156,55руб.151,90руб.148,80руб.144,15руб.134,85руб.131,75руб.

Характеристики

IRFI3205PBF, Nкан 55В 54А изол ТО220FPThe IRFI3205PBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier. The package is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Isolated package
• Fully avalanche rating
• 2.5kVRMS High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance

Дополнительная информация

Корпус

to220fp
Структура

n-канал