66

IRFH8316TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм

49,00 руб.

x 49,00 = 49,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней49,00руб.45,57руб.44,10руб.43,12руб.40,18руб.39,20руб.38,22руб.35,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней88,69руб.81,34руб.79,87руб.77,91руб.72,52руб.71,05руб.69,09руб.62,23руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней114,66руб.105,84руб.103,39руб.100,94руб.94,08руб.91,63руб.89,67руб.80,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней58,80руб.53,90руб.52,92руб.51,45руб.48,02руб.47,04руб.45,57руб.41,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней113,19руб.104,37руб.101,92руб.99,47руб.96,53руб.93,10руб.88,20руб.79,38руб.

Характеристики

IRFH8316TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус

pqfn 5×6 mm

Структура

n-канал