IRFB5620PBF, Транзистор, Nкан 200В 25А TO220AB

211,00 руб.

Артикул: 1127111 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	211,00руб.	196,23руб.	189,90руб.	185,68руб.	179,35руб.	168,80руб.	164,58руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	396,68руб.	365,03руб.	358,70руб.	350,26руб.	337,60руб.	318,61руб.	310,17руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	403,01руб.	371,36руб.	362,92руб.	354,48руб.	337,60руб.	320,72руб.	314,39руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	253,20руб.	232,10руб.	227,88руб.	221,55руб.	215,22руб.	202,56руб.	196,23руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	367,14руб.	337,60руб.	329,16руб.	322,83руб.	312,28руб.	293,29руб.	284,85руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	229,99руб.	213,11руб.	206,78руб.	202,56руб.	196,23руб.	183,57руб.	179,35руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB5620PBF, Транзистор, Nкан 200В 25А TO220ABThe IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175 C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.

• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI