Транзистор IRFB4310PBF, Nкан 100В 127А [TO-220AB]

189,00 руб.

Артикул: 1127109 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	189,00руб.	175,77руб.	170,10руб.	166,32руб.	160,65руб.	151,20руб.	147,42руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	355,32руб.	326,97руб.	321,30руб.	313,74руб.	302,40руб.	285,39руб.	277,83руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	360,99руб.	332,64руб.	325,08руб.	317,52руб.	302,40руб.	287,28руб.	281,61руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	226,80руб.	207,90руб.	204,12руб.	198,45руб.	192,78руб.	181,44руб.	175,77руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	328,86руб.	302,40руб.	294,84руб.	289,17руб.	279,72руб.	262,71руб.	255,15руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	206,01руб.	190,89руб.	185,22руб.	181,44руб.	175,77руб.	164,43руб.	160,65руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB4310PBF, Nкан 100В 127А [TO-220AB]The IRFB4310PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability