2

Транзистор IRF7329PBF, 2Pкан -12В -9.2А SO8

140,00 руб.

x 140,00 = 140,00
Артикул: 1127072 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней140,00руб.130,20руб.126,00руб.123,20руб.119,00руб.112,00руб.109,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней263,20руб.242,20руб.238,00руб.232,40руб.224,00руб.211,40руб.205,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней267,40руб.246,40руб.240,80руб.235,20руб.224,00руб.212,80руб.208,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней168,00руб.154,00руб.151,20руб.147,00руб.142,80руб.134,40руб.130,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней243,60руб.224,00руб.218,40руб.214,20руб.207,20руб.194,60руб.189,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней152,60руб.141,40руб.137,20руб.134,40руб.130,20руб.121,80руб.119,00руб.

Характеристики

IRF7329PBF, 2Pкан -12В -9.2А SO8The IRF7329PBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Trench technology
• Ultra low ON-resistance
• Low profile

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

2p-канала