52н

RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]

57,00 руб.

x 57,00 = 57,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней57,00руб.53,01руб.51,30руб.50,16руб.46,74руб.45,60руб.44,46руб.41,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней103,17руб.94,62руб.92,91руб.90,63руб.84,36руб.82,65руб.80,37руб.72,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней133,38руб.123,12руб.120,27руб.117,42руб.109,44руб.106,59руб.104,31руб.93,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней68,40руб.62,70руб.61,56руб.59,85руб.55,86руб.54,72руб.53,01руб.47,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней131,67руб.121,41руб.118,56руб.115,71руб.112,29руб.108,30руб.102,60руб.92,34руб.

Характеристики

RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]The RFP70N06 is a 60V N-channel power MOSFET using MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The MOSFET is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. This transistor can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Temperature compensating PSPICE® model
• Peak current vs. pulse width curve
• UIS Rated curve
• 175 C Rated junction temperature

Дополнительная информация

Корпус

to220ab

Структура

n-канал