67

NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]

7,00 руб.

x 7,00 = 7,00
Артикул: 1126785 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней7,00руб.6,51руб.6,30руб.6,16руб.5,74руб.5,60руб.5,46руб.5,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней12,67руб.11,62руб.11,41руб.11,13руб.10,36руб.10,15руб.9,87руб.8,89руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней16,38руб.15,12руб.14,77руб.14,42руб.13,44руб.13,09руб.12,81руб.11,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней8,40руб.7,70руб.7,56руб.7,35руб.6,86руб.6,72руб.6,51руб.5,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней16,17руб.14,91руб.14,56руб.14,21руб.13,79руб.13,30руб.12,60руб.11,34руб.

Характеристики

NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3] Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (

Дополнительная информация

Корпус

ssot3
Структура

2n-канала