10

FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F]

68,00 руб.

x 68,00 = 68,00
Артикул: 1126642 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней68,00руб.63,24руб.61,20руб.59,84руб.55,76руб.54,40руб.53,04руб.48,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней123,08руб.112,88руб.110,84руб.108,12руб.100,64руб.98,60руб.95,88руб.86,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней159,12руб.146,88руб.143,48руб.140,08руб.130,56руб.127,16руб.124,44руб.111,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней81,60руб.74,80руб.73,44руб.71,40руб.66,64руб.65,28руб.63,24руб.57,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней157,08руб.144,84руб.141,44руб.138,04руб.133,96руб.129,20руб.122,40руб.110,16руб.

Характеристики

FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F]The FQPF13N50CF is a QFET® FRFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 4.3nC Typical low gate charge
• 20pF Typical low Crss
• 100ns Typical fast recovery body diode

Дополнительная информация

Корпус

to220f
Структура

n-канал