f4ded5ce6b490cc5054b5778a4bcb901

FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]

180,00 руб.

x 180,00 = 180,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней180,00руб.167,40руб.162,00руб.158,40руб.153,00руб.144,00руб.140,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней338,40руб.311,40руб.306,00руб.298,80руб.288,00руб.271,80руб.264,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней343,80руб.316,80руб.309,60руб.302,40руб.288,00руб.273,60руб.268,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней216,00руб.198,00руб.194,40руб.189,00руб.183,60руб.172,80руб.167,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней313,20руб.288,00руб.280,80руб.275,40руб.266,40руб.250,20руб.243,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней196,20руб.181,80руб.176,40руб.172,80руб.167,40руб.156,60руб.153,00руб.

Характеристики

FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства – FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N – 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной скоростью нарастания напряжения dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Отличительные особенности:
• Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2
• dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс)
• dv/dt транзистора: 100 В/нс
• Лавинная энергия: 355 мДж у 199-мОм приборов; 672 мДж у 165-мОм приборов.

Дополнительная информация

Корпус

to220fp

Структура

n-канал