11

BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]

4,00 руб.

x 4,00 = 4,00
Артикул: 1126576 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней4,00руб.3,72руб.3,60руб.3,52руб.3,28руб.3,20руб.3,12руб.2,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней7,24руб.6,64руб.6,52руб.6,36руб.5,92руб.5,80руб.5,64руб.5,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней9,36руб.8,64руб.8,44руб.8,24руб.7,68руб.7,48руб.7,32руб.6,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней4,80руб.4,40руб.4,32руб.4,20руб.3,92руб.3,84руб.3,72руб.3,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней9,24руб.8,52руб.8,32руб.8,12руб.7,88руб.7,60руб.7,20руб.6,48руб.

Характеристики

BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]The BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

• Automotive grade AEC-Q101 qualified
• Drain to source voltage (Vds) of 50V
• Gate to source voltage of ± 20V
• Continuous drain current (Id) of 200mA
• Power dissipation (pd) of 225mW
• Operating temperature range -55 C to 150 C
• Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

n-канал