2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]

6,00 руб.

Артикул: 1126426 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	6,00руб.	5,58руб.	5,40руб.	5,28руб.	4,92руб.	4,80руб.	4,68руб.	4,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	10,86руб.	9,96руб.	9,78руб.	9,54руб.	8,88руб.	8,70руб.	8,46руб.	7,62руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	14,04руб.	12,96руб.	12,66руб.	12,36руб.	11,52руб.	11,22руб.	10,98руб.	9,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	7,20руб.	6,60руб.	6,48руб.	6,30руб.	5,88руб.	5,76руб.	5,58руб.	5,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	13,86руб.	12,78руб.	12,48руб.	12,18руб.	11,82руб.	11,40руб.	10,80руб.	9,72руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]The 2N7000TA is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.

• Fast switching
• Lower input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved inductive ruggedness
• Improved high temperature reliability