51

IRLR2905ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]

34,00 руб.

x 34,00 = 34,00
Артикул: 1126374 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней34,00руб.31,62руб.30,60руб.29,92руб.27,88руб.27,20руб.26,52руб.24,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней61,54руб.56,44руб.55,42руб.54,06руб.50,32руб.49,30руб.47,94руб.43,18руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней79,56руб.73,44руб.71,74руб.70,04руб.65,28руб.63,58руб.62,22руб.55,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней40,80руб.37,40руб.36,72руб.35,70руб.33,32руб.32,64руб.31,62руб.28,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней78,54руб.72,42руб.70,72руб.69,02руб.66,98руб.64,60руб.61,20руб.55,08руб.

Характеристики

IRLR2905ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK]The IRLR2905ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.

• Logic level
• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175 C Operating temperature

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал