51

IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]

26,00 руб.

x 26,00 = 26,00
Артикул: 1126371 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней26,00руб.24,18руб.23,40руб.22,88руб.21,32руб.20,80руб.20,28руб.18,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней47,06руб.43,16руб.42,38руб.41,34руб.38,48руб.37,70руб.36,66руб.33,02руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней60,84руб.56,16руб.54,86руб.53,56руб.49,92руб.48,62руб.47,58руб.42,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней31,20руб.28,60руб.28,08руб.27,30руб.25,48руб.24,96руб.24,18руб.21,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней60,06руб.55,38руб.54,08руб.52,78руб.51,22руб.49,40руб.46,80руб.42,12руб.

Характеристики

IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]The IRLR120NPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал