61

IRFU5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [I-PAK]

38,00 руб.

x 38,00 = 38,00
Артикул: 1126277 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней38,00руб.35,34руб.34,20руб.33,44руб.31,16руб.30,40руб.29,64руб.27,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней68,78руб.63,08руб.61,94руб.60,42руб.56,24руб.55,10руб.53,58руб.48,26руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней88,92руб.82,08руб.80,18руб.78,28руб.72,96руб.71,06руб.69,54руб.62,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней45,60руб.41,80руб.41,04руб.39,90руб.37,24руб.36,48руб.35,34руб.31,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней87,78руб.80,94руб.79,04руб.77,14руб.74,86руб.72,20руб.68,40руб.61,56руб.

Характеристики

IRFU5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [I-PAK]The IRFU5305PBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Ultra low on-resistance
• Advanced process technology
• Fully avalanche rated

Дополнительная информация

Корпус

to251aa
Структура

p-канал