Транзистор IRFIZ24NPBF, Nкан 55В 13А TO220FP

58,00 руб.

Артикул: 1126152 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	58,00руб.	53,94руб.	52,20руб.	51,04руб.	47,56руб.	46,40руб.	45,24руб.	41,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	104,98руб.	96,28руб.	94,54руб.	92,22руб.	85,84руб.	84,10руб.	81,78руб.	73,66руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	135,72руб.	125,28руб.	122,38руб.	119,48руб.	111,36руб.	108,46руб.	106,14руб.	95,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	69,60руб.	63,80руб.	62,64руб.	60,90руб.	56,84руб.	55,68руб.	53,94руб.	48,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	133,98руб.	123,54руб.	120,64руб.	117,74руб.	114,26руб.	110,20руб.	104,40руб.	93,96руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFIZ24NPBF, Nкан 55В 13А TO220FPThe IRFIZ24NPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier. The package is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Isolated package
• 2.5kVRMS High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance