Транзистор IRFB7437PBF, StrongIRFET N-канал 40В 195А 2.0мОм, [TO-220AB]

64,00 руб.

Артикул: 1126094 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	64,00руб.	59,52руб.	57,60руб.	56,32руб.	52,48руб.	51,20руб.	49,92руб.	46,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	115,84руб.	106,24руб.	104,32руб.	101,76руб.	94,72руб.	92,80руб.	90,24руб.	81,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	149,76руб.	138,24руб.	135,04руб.	131,84руб.	122,88руб.	119,68руб.	117,12руб.	104,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	76,80руб.	70,40руб.	69,12руб.	67,20руб.	62,72руб.	61,44руб.	59,52руб.	53,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	147,84руб.	136,32руб.	133,12руб.	129,92руб.	126,08руб.	121,60руб.	115,20руб.	103,68руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB7437PBF, StrongIRFET N-канал 40В 195А 2.0мОм, [TO-220AB]The IRFB7437PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability