IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]

23,00 руб.

Артикул: 1125965 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	23,00руб.	21,39руб.	20,70руб.	20,24руб.	18,86руб.	18,40руб.	17,94руб.	16,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	41,63руб.	38,18руб.	37,49руб.	36,57руб.	34,04руб.	33,35руб.	32,43руб.	29,21руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	53,82руб.	49,68руб.	48,53руб.	47,38руб.	44,16руб.	43,01руб.	42,09руб.	37,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	27,60руб.	25,30руб.	24,84руб.	24,15руб.	22,54руб.	22,08руб.	21,39руб.	19,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	53,13руб.	48,99руб.	47,84руб.	46,69руб.	45,31руб.	43,70руб.	41,40руб.	37,26руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]The IRF7309PBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance