2

Транзистор IRF7301PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 5.2А 0.050Ом [SO-8]

25,00 руб.

x 25,00 = 25,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней25,00руб.23,25руб.22,50руб.22,00руб.20,50руб.20,00руб.19,50руб.18,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней45,25руб.41,50руб.40,75руб.39,75руб.37,00руб.36,25руб.35,25руб.31,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней58,50руб.54,00руб.52,75руб.51,50руб.48,00руб.46,75руб.45,75руб.41,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней30,00руб.27,50руб.27,00руб.26,25руб.24,50руб.24,00руб.23,25руб.21,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней57,75руб.53,25руб.52,00руб.50,75руб.49,25руб.47,50руб.45,00руб.40,50руб.

Характеристики

IRF7301PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 5.2А 0.050Ом [SO-8]Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

Дополнительная информация

Корпус

so8

Структура

2n-канала