2

IRF7240TRPBF, Транзистор P-CH 40V 10.5A [SOIC-8]

41,00 руб.

x 41,00 = 41,00
Артикул: 1125959 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней41,00руб.38,13руб.36,90руб.36,08руб.33,62руб.32,80руб.31,98руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней74,21руб.68,06руб.66,83руб.65,19руб.60,68руб.59,45руб.57,81руб.52,07руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней95,94руб.88,56руб.86,51руб.84,46руб.78,72руб.76,67руб.75,03руб.67,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней49,20руб.45,10руб.44,28руб.43,05руб.40,18руб.39,36руб.38,13руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней94,71руб.87,33руб.85,28руб.83,23руб.80,77руб.77,90руб.73,80руб.66,42руб.

Характеристики

IRF7240TRPBF, Транзистор P-CH 40V 10.5A [SOIC-8]The IRF7240TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapour phase, infrared or wave soldering technique.

• Industry standard pin-out

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

p-канал