IRF3710PBF, Транзистор, N-канал 100В 57А [TO-220AB]

48,00 руб.

Артикул: 1125883 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	48,00руб.	44,64руб.	43,20руб.	42,24руб.	39,36руб.	38,40руб.	37,44руб.	34,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	86,88руб.	79,68руб.	78,24руб.	76,32руб.	71,04руб.	69,60руб.	67,68руб.	60,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	112,32руб.	103,68руб.	101,28руб.	98,88руб.	92,16руб.	89,76руб.	87,84руб.	78,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	57,60руб.	52,80руб.	51,84руб.	50,40руб.	47,04руб.	46,08руб.	44,64руб.	40,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	110,88руб.	102,24руб.	99,84руб.	97,44руб.	94,56руб.	91,20руб.	86,40руб.	77,76руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF3710PBF, Транзистор, N-канал 100В 57А [TO-220AB]The IRF3710PBF is a 100V single N-channel Advanced HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
• 175 C Operating temperature