47

Транзистор TIP120, [TO-220]

92,00 руб.

x 92,00 = 92,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней92,00руб.85,56руб.82,80руб.80,96руб.75,44руб.73,60руб.71,76руб.66,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней166,52руб.152,72руб.149,96руб.146,28руб.136,16руб.133,40руб.129,72руб.116,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней215,28руб.198,72руб.194,12руб.189,52руб.176,64руб.172,04руб.168,36руб.150,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней110,40руб.101,20руб.99,36руб.96,60руб.90,16руб.88,32руб.85,56руб.77,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней212,52руб.195,96руб.191,36руб.186,76руб.181,24руб.174,80руб.165,60руб.149,04руб.

Характеристики

TIP120, [TO-220]The TIP120 from STMicroelectronics is a through hole complementary power darlington transistor in TO-220 package. This device manufactured in planar technology with «base island» layout and monolithic darlington configuration resulting in exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

• Collector to emitter voltage (Vce) is 60V
• Collector current (Ic) is 5A
• Power dissipation (Pd) is 65W
• Collector to emitter saturation voltage of 4V at 5A collector current
• DC current gain (hFE) of 1000
• Operating junction temperature range from 150 C

Дополнительная информация

Корпус

to220ab

Структура

npn с darl

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

5

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

1000

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

65